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NVMYS029N08LHTWG
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 22 A, 0.029 ohm, LFPAK, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$15.160 |
| 10+ | NT$14.410 |
| 100+ | NT$13.940 |
| 500+ | NT$13.460 |
| 1000+ | NT$13.260 |
| 5000+ | NT$12.130 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NVMYS029N08LHTWG复制
訂購代碼
條帶式包裝4257681
條帶式包裝4257681RL
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance0.029ohm
Transistor Case StyleLFPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation33W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Transistor Case Style
LFPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
33W
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.029ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001