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NVTFWS1D3N04XMTAG
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$85.760 | NT$85.76 |
| 總計 價格 | NT$85.76 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$85.760 |
| 10+ | NT$55.230 |
| 100+ | NT$37.950 |
| 500+ | NT$37.200 |
| 1000+ | NT$36.440 |
| 5000+ | NT$35.680 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NVTFWS1D3N04XMTAG复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼
複捲式4750177RL
條帶式包裝4750177
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id178A
Drain Source On State Resistance1430µohm
Transistor Case StyleWDFNW
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
178A
Transistor Case Style
WDFNW
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1430µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001