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NXH015F120M3F1PTG
Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, N Channel, 77 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, Module
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NXH015F120M3F1PTG
訂購代碼4750179
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id77A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation198W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Full Bridge
Continuous Drain Current Id
77A
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
198W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001