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NXH040P120MNF1PTG
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Module
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NXH040P120MNF1PTG复制
製造商標準前置時間14 週
訂購代碼3973634
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.042ohm
No. of Pins18Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.81V
Power Dissipation74W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.042ohm
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
74W
Product Range
-
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
No. of Pins
18Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.81V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.023315