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NXH450B100H4Q2F2PG
IGBT Module, Dual, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NXH450B100H4Q2F2PG
訂購代碼3929812
Product RangeEliteSiC Series
技術資料表
IGBT ConfigurationDual
Continuous Collector Current101A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation234W
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1kV
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
IGBT Configuration
Dual
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Continuous Collector Current
101A
Power Dissipation
234W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.460396