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SBC846BDW1T1G
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 100 mA, 380 mW
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$5.490 | NT$27.45 |
| 總計 價格 | NT$27.45 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$5.490 |
| 50+ | NT$4.460 |
| 100+ | NT$3.420 |
| 500+ | NT$2.810 |
| 1500+ | NT$2.760 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號SBC846BDW1T1G复制
製造商標準前置時間14 週
訂購代碼
複捲式2628004RL
條帶式包裝2628004
技術資料表
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN65V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN380mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
65V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
380mW
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001