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SBC856BWT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$4.310 | NT$21.55 |
| 總計 價格 | NT$21.55 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$4.310 |
| 50+ | NT$3.490 |
| 100+ | NT$2.660 |
| 500+ | NT$1.670 |
| 1500+ | NT$1.640 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號SBC856BWT1G复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
複捲式2774803RL
條帶式包裝2774803
技術資料表
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max65V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation150mW
Transistor Case StyleSC-70
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min220hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
100mA
Transistor Case Style
SC-70
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
220hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
65V
Power Dissipation
150mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000045