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UF4C120070B7S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 25.7 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, TO-263 (D2PAK)
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製造商ONSEMI
製造商產品編號UF4C120070B7S复制
製造商標準前置時間24 週
訂購代碼
複捲式4750186RL
條帶式包裝4750186
Product RangeEliteSiC Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$467.370 | NT$467.37 |
| 總計 價格 | NT$467.37 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$467.370 |
| 5+ | NT$396.960 |
| 10+ | NT$326.550 |
| 50+ | NT$296.330 |
| 100+ | NT$266.110 |
| 250+ | NT$260.790 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號UF4C120070B7S复制
製造商標準前置時間24 週
訂購代碼
複捲式4750186RL
條帶式包裝4750186
Product RangeEliteSiC Series
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id25.7A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.091ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation183W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
25.7A
Drain Source On State Resistance
0.091ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
183W
Product Range
EliteSiC Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001