列印頁面
RTP100E2P6G1FL-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 113 A, 0.0026 ohm, 9.4 nC, FCLGA, Surface Mount
可供訂購
在這裡登記您有興趣的產品
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$122.050 |
| 10+ | NT$65.700 |
| 100+ | NT$60.270 |
| 500+ | NT$58.170 |
| 1000+ | NT$57.010 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
NT$122.05
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商RENESAS
製造商產品編號RTP100E2P6G1FL-TR复制
訂購代碼5128703
技術資料表
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id113A
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
Typical Gate Charge9.4nC
Transistor Case StyleFCLGA
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0026ohm
Transistor Case Style
FCLGA
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
113A
Typical Gate Charge
9.4nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
相關產品
找到 1 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：待通知
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001