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TP65H100G4PS
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, TO-220, Through Hole
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產品訊息
製造商RENESAS
製造商產品編號TP65H100G4PS复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼4680952
Product RangeSuperGaN Series
技術資料表
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id18.9A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Typical Gate Charge14.4nC
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
18.9A
Typical Gate Charge
14.4nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001