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2SAR583D3TL1
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$72.120 | NT$72.12 |
| 總計 價格 | NT$72.12 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$72.120 |
| 10+ | NT$46.250 |
| 100+ | NT$31.220 |
| 500+ | NT$24.870 |
| 1000+ | NT$20.800 |
| 5000+ | NT$20.390 |
品項附註
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產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號2SAR583D3TL1复制
製造商標準前置時間20 週
訂購代碼
複捲式3757476RL
條帶式包裝3757476
技術資料表
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max50V
Continuous Collector Current7A
Power Dissipation10W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency230MHz
DC Current Gain hFE Min180hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
產品總覽
2SAR583D3TL1 is a PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, power transistor with low VCE(sat) suitable for low frequency amplifier.
- 3 terminal package
- 10W collector power dissipation
- Suitable for power driver
- Complementary NPN types : 2SCR583D3
- Low VCE(sat): VCE(sat)=-400mV(max.). (IC/IB=-3A/-150mA)
- Storage temperature range from -55 to 150°C
- DC current gain range from 180 to 450hFE at VCE=-3V, Ic=-1A
- 230MHz typ transition frequency at VCE=-10V, IE=1A, f-100MHz
技術規格
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
7A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
180hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
50V
Power Dissipation
10W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
230MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0005