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BSM180C12P2E202
Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 204 A, 1.2 kV, Module
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產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號BSM180C12P2E202
訂購代碼3573218
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationChopper
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id204A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.36kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Chopper
Continuous Drain Current Id
204A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
1.36kW
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.28