列印頁面
BST47T1P4K01-VC
Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 47 A, 750 V, 0.037 ohm, HSDIP
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
8 有存貨
需要更多？
8 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$2,549.220 |
| 5+ | NT$2,408.730 |
| 10+ | NT$2,268.240 |
| 50+ | NT$2,145.700 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$2,549.22
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號BST47T1P4K01-VC复制
製造商標準前置時間30 週
訂購代碼4840754
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSixPack
Channel TypeSix N Channel
Continuous Drain Current Id47A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.037ohm
Transistor Case StyleHSDIP
No. of Pins20Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
Power Dissipation227W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
SixPack
Continuous Drain Current Id
47A
Drain Source On State Resistance
0.037ohm
No. of Pins
20Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.8V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Six N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
HSDIP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
227W
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.01