列印頁面
HP8KE6TB1
Dual MOSFET, Dual N Channel, 100 V, 17 A, 0.054 ohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
227 有存貨
需要更多？
227 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$78.900 | NT$78.90 |
| 總計 價格 | NT$78.90 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$78.900 |
| 10+ | NT$50.770 |
| 100+ | NT$34.600 |
| 500+ | NT$27.520 |
| 1000+ | NT$24.780 |
| 5000+ | NT$23.840 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號HP8KE6TB1复制
製造商標準前置時間23 週
訂購代碼
複捲式4246782RL
條帶式包裝4246782
技術資料表
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel17A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.054ohm
Transistor Case StyleHSOP
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel21W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Transistor Case Style
HSOP
Power Dissipation N Channel
21W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
17A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.054ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000074