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HT8KE5TB1
Dual MOSFET, Dual N Channel, 100 V, 7 A, 0.193 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$43.390 | NT$43.39 |
| 總計 價格 | NT$43.39 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$43.390 |
| 10+ | NT$27.300 |
| 100+ | NT$18.210 |
| 500+ | NT$14.360 |
| 1000+ | NT$12.820 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號HT8KE5TB1复制
製造商標準前置時間23 週
訂購代碼
複捲式4246784RL
條帶式包裝4246784
技術資料表
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel7A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.193ohm
Transistor Case StyleHSMT
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel13W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Transistor Case Style
HSMT
Power Dissipation N Channel
13W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.193ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000074