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QS8M51HZGTR
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 100 V, 100 V, 2 A, 1.5 A, 0.325 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$52.350 | NT$52.35 |
| 總計 價格 | NT$52.35 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$52.350 |
| 10+ | NT$33.070 |
| 100+ | NT$21.960 |
| 500+ | NT$17.200 |
| 1000+ | NT$15.620 |
| 5000+ | NT$13.150 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號QS8M51HZGTR复制
製造商標準前置時間20 週
訂購代碼
複捲式4263614RL
條帶式包裝4263614
技術資料表
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel2A
Continuous Drain Current Id P Channel1.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.325ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.47ohm
Transistor Case StyleTSMT
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.47ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.325ohm
Transistor Case Style
TSMT
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000019