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R8002CND3FRATL
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$58.890 | NT$58.89 |
| 總計 價格 | NT$58.89 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$58.890 |
| 10+ | NT$45.950 |
| 100+ | NT$44.460 |
品項附註
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產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號R8002CND3FRATL复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
複捲式3406515RL
條帶式包裝3406515
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance4.3ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation69W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (23-Jan-2024)
產品總覽
警告
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
4.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0001