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R8019KNXC7G
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 19 A, 0.265 ohm, TO-220FM, Through Hole
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| 10+ | NT$140.340 |
| 100+ | NT$129.020 |
| 500+ | NT$118.030 |
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最少: 1
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產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號R8019KNXC7G复制
製造商標準前置時間23 週
訂購代碼4308159
Product RangeR8xxxKNx Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance0.265ohm
Transistor Case StyleTO-220FM
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation83W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeR8xxxKNx Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
Transistor Case Style
TO-220FM
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.265ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
R8xxxKNx Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00187