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RD3L08BGNTL
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$79.470 |
| 50+ | NT$67.380 |
| 100+ | NT$55.290 |
| 500+ | NT$44.970 |
| 1000+ | NT$41.660 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 5
多項: 5
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品項附註
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產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號RD3L08BGNTL复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼3934701
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance4200µohm
Transistor Case StyleTO-252
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation119W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
RD3L08BGNTL 的替代選擇
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-252
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
119W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
4200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0005