列印頁面
RH7P02BBJFRATCB
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 21 A, 0.136 ohm, DFN3333, Surface Mount
可供訂購
製造商標準交貨時間：20 週
有貨時通知我
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$74.480 |
| 10+ | NT$47.870 |
| 100+ | NT$32.560 |
| 500+ | NT$28.020 |
| 1000+ | NT$23.850 |
| 5000+ | NT$23.260 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
NT$74.48
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號RH7P02BBJFRATCB复制
製造商標準前置時間20 週
訂購代碼
條帶式包裝4836040
條帶式包裝4836040RL
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.136ohm
Transistor Case StyleDFN3333
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation62W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
DFN3333
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.136ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000036