列印頁面
RS1E301GNTB1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 80 A, 2200 µohm, HSOP, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
2,448 有存貨
需要更多？
2,448 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$91.840 | NT$91.84 |
| 總計 價格 | NT$91.84 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$91.840 |
| 10+ | NT$45.930 |
| 100+ | NT$40.100 |
| 500+ | NT$33.320 |
| 1000+ | NT$29.370 |
| 5000+ | NT$28.790 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號RS1E301GNTB1复制
製造商標準前置時間23 週
訂購代碼
複捲式3214735RL
條帶式包裝3214735
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance2200µohm
Transistor Case StyleHSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation33W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
HSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
2200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.005577