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RS6G120BHTB1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 210 A, 1380 µohm, HSOP, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$113.840 | NT$113.84 |
| 總計 價格 | NT$113.84 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$113.840 |
| 10+ | NT$74.390 |
| 100+ | NT$54.210 |
| 500+ | NT$45.480 |
| 1000+ | NT$42.170 |
品項附註
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產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號RS6G120BHTB1复制
訂購代碼
複捲式4308171RL
條帶式包裝4308171
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source On State Resistance1380µohm
Transistor Case StyleHSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Transistor Case Style
HSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1380µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00009