列印頁面
SCT4026DW7HRTL
Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK)
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
1,000 有存貨
需要更多？
1,000 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 複捲式 | 1 | NT$516.690 | NT$516.69 |
| 總計 價格 | NT$516.69 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$516.690 |
| 5+ | NT$442.240 |
| 10+ | NT$367.760 |
| 50+ | NT$361.780 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號SCT4026DW7HRTL复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
複捲式4064763RL
條帶式包裝4064763
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
Power Dissipation150W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
51A
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.8V
Operating Temperature Max
175°C
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
150W
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0003