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SH8M41TB1
Dual MOSFET, N and P Channel, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.13 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$71.470 | NT$71.47 |
| 總計 價格 | NT$71.47 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$71.470 |
| 10+ | NT$45.600 |
| 100+ | NT$30.860 |
| 500+ | NT$24.560 |
| 1000+ | NT$20.380 |
| 5000+ | NT$19.980 |
品項附註
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產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號SH8M41TB1复制
製造商標準前置時間23 週
訂購代碼
複捲式4180274RL
條帶式包裝4180274
技術資料表
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel80V
Drain Source Voltage Vds P Channel80V
Continuous Drain Current Id N Channel3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel2.6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.13ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.24ohm
Transistor Case StyleSOP
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
80V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.24ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
80V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.13ohm
Transistor Case Style
SOP
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001