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UT6J3TCR1
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.06 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$33.610 | NT$33.61 |
| 總計 價格 | NT$33.61 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$33.610 |
| 10+ | NT$26.040 |
| 100+ | NT$18.310 |
| 500+ | NT$14.700 |
| 1000+ | NT$12.380 |
| 5000+ | NT$10.580 |
品項附註
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產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號UT6J3TCR1复制
製造商標準前置時間23 週
訂購代碼
複捲式3287383RL
條帶式包裝3287383
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel3A
Continuous Drain Current Id P Channel3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.06ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.06ohm
Transistor Case StyleDFN2020
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
警告
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技術規格
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.06ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.06ohm
Transistor Case Style
DFN2020
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000061