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SKM150GB12T4G
IGBT Module, Half Bridge, 223 A, 1.85 V, 175 °C, Module
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產品訊息
製造商SEMIKRON
製造商產品編號SKM150GB12T4G复制
製造商標準前置時間25 週
訂購代碼2423688
其他名稱22892050, 22892050
技術資料表
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current223A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
產品總覽
The SKM150GB12T4G is a SEMITRANS® 3 fast IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders at fsw up to 20kHz. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- UL recognized, file number E63532
應用
Power Management, Maintenance & Repair
技術規格
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Operating Temperature Max
175°C
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Continuous Collector Current
223A
Power Dissipation
-
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Slovak Republic
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Slovak Republic
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.453592