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SKM200GB125D
IGBT Module, Half Bridge, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Module
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產品訊息
製造商SEMIKRON
製造商產品編號SKM200GB125D复制
製造商標準前置時間25 週
訂購代碼2423692
其他名稱22890620, 22890620
技術資料表
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current200A
Collector Emitter Saturation Voltage3.3V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
產品總覽
The SKM200GB125D is a SEMITRANS® 3 ultrafast IGBT Module for use with inductive heating and resonant inverters up to 100kHz. It features isolated copper base plate using DCB (Direct Copper Bonding) technology and short tail current with low temperature dependence.
- Half-bridge switch
- N channel, homogeneous Si
- Low inductance case
- High short-circuit capability, self limiting to 6 x IC
- Fast and soft inverse CAL diodes
- Large clearance (13mm) and creepage distance (20mm)
技術規格
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
3.3V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
NPT IGBT [Ultrafast]
Product Range
-
Continuous Collector Current
200A
Power Dissipation
-
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Slovak Republic
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Slovak Republic
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.18