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SKM75GB12V
IGBT Module, Half Bridge, 114 A, 1.85 V, 175 °C, Module
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$4,031.060 |
| 5+ | NT$3,675.750 |
| 10+ | NT$3,325.330 |
| 50+ | NT$3,179.170 |
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最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商SEMIKRON
製造商產品編號SKM75GB12V复制
製造商標準前置時間25 週
訂購代碼2423706
其他名稱22892013, 22892013
技術資料表
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current114A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyV-IGBT
Transistor MountingPanel
Product Range-
產品總覽
The SKM75GB12V is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Copper Bonding) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- V-IGBT = 6th generation Trench V-IGBT (Fuji)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- Lowest switching losses at high di/dt
- UL recognized, file number E63532
應用
Power Management, Maintenance & Repair
技術規格
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Operating Temperature Max
175°C
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Continuous Collector Current
114A
Power Dissipation
-
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
V-IGBT
Product Range
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Slovak Republic
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Slovak Republic
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.18