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GD100HFU120C8S
IGBT Module, Half Bridge, 154 A, 2.9 V, 791 W, 125 °C, Module
不再生產
產品訊息
製造商STARPOWER
製造商產品編號GD100HFU120C8S
訂購代碼3912069
技術資料表
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current154A
Collector Emitter Saturation Voltage2.9V
Power Dissipation791W
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
技術規格
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
2.9V
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
NPT IGBT [Standard]
Product Range
-
Continuous Collector Current
154A
Power Dissipation
791W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.2