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GD100HHU120C6S
IGBT Module, H Bridge, 160 A, 3.1 V, 638 W, 125 °C, Module
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產品訊息
製造商STARPOWER
製造商產品編號GD100HHU120C6S
訂購代碼3549221
技術資料表
IGBT ConfigurationH Bridge
Continuous Collector Current160A
Collector Emitter Saturation Voltage3.1V
Power Dissipation638W
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT Ultra Fast IGBT
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
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技術規格
IGBT Configuration
H Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
3.1V
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
NPT Ultra Fast IGBT
Product Range
-
Continuous Collector Current
160A
Power Dissipation
638W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：1.21