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GD75HFX65C1S
IGBT Module, Half Bridge, 100 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Module
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|---|---|
| 1+ | NT$1,191.70 |
| 5+ | NT$1,110.25 |
| 10+ | NT$1,024.78 |
| 50+ | NT$966.00 |
| 100+ | NT$949.03 |
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產品訊息
製造商STARPOWER
製造商產品編號GD75HFX65C1S
訂購代碼3912063
技術資料表
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation258W
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT TechnologyTrench
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
技術規格
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench
Product Range
-
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
258W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.15