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MD300HFC170C2S
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 484 A, 1.7 kV, 3330 µohm, Module
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製造商STARPOWER
製造商產品編號MD300HFC170C2S复制
製造商標準前置時間24 週
訂購代碼3549206
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id484A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance3330µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins11Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
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技術規格
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
484A
Drain Source On State Resistance
3330µohm
No. of Pins
11Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：1.21