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A2TBH45M65W3-FC
Silicon Carbide MOSFET, Triple Boost, Half Bridge, N Channel, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, ACEPACK 2
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$2,906.670 |
| 5+ | NT$2,704.050 |
| 10+ | NT$2,493.840 |
| 50+ | NT$2,368.830 |
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最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商產品編號A2TBH45M65W3-FC复制
訂購代碼4657002
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationTriple Boost, Half Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.072ohm
Transistor Case StyleACEPACK 2
No. of Pins30Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Triple Boost, Half Bridge
Continuous Drain Current Id
28A
Drain Source On State Resistance
0.072ohm
No. of Pins
30Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
ACEPACK 2
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001