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M2TP80M12W2-2LA
Silicon Carbide MOSFET, FourPack, N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.114 ohm, ACEPACK DMT
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$1,471.000 |
| 5+ | NT$1,397.100 |
| 10+ | NT$1,323.200 |
| 50+ | NT$1,249.300 |
| 100+ | NT$1,175.390 |
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產品訊息
製造商產品編號M2TP80M12W2-2LA
訂購代碼4732536
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationFourPack
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.114ohm
Transistor Case StyleACEPACK DMT
No. of Pins32Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
FourPack
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.114ohm
No. of Pins
32Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
ACEPACK DMT
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001