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MJD31CT4
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 5+ | NT$48.300 |
| 10+ | NT$30.400 |
| 100+ | NT$20.140 |
| 500+ | NT$15.710 |
| 1000+ | NT$11.490 |
| 5000+ | NT$10.960 |
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產品訊息
製造商產品編號MJD31CT4复制
製造商標準前置時間17 週
訂購代碼1467922
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation15W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min10hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The MJD31CT4 is a NPN low voltage Power Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
- Surface-mount power package
- PNP complementary to the type is MJD32C
應用
Industrial, Power Management, Automotive
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
3A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
10hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation
15W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000383