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MJE182
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3 A, 12.5 W, SOT-32, Through Hole
不再生產
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The MJE182 is a NPN Low Voltage Transistor manufactured using Epitaxial Planar technology, housed in a plastic package. It is designed for low power audio amplifiers and low current, high speed switching applications.
- High speed switching
應用
Industrial, Power Management, Audio
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
3A
Transistor Case Style
SOT-32
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
12.5W
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.06