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SCT040H65G3AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, H2PAK
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製造商產品編號SCT040H65G3AG复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼
複捲式4285872RL
條帶式包裝4285872
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$408.950 | NT$408.95 |
| 總計 價格 | NT$408.95 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$408.950 |
| 5+ | NT$346.310 |
| 10+ | NT$283.660 |
| 50+ | NT$280.930 |
| 100+ | NT$278.200 |
| 250+ | NT$275.470 |
品項附註
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產品訊息
製造商產品編號SCT040H65G3AG复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼
複捲式4285872RL
條帶式包裝4285872
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation221W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
221W
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Italy
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Italy
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001