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SCTH100N65G2-7AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 95 A, 650 V, 0.02 ohm, H2PAK
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製造商產品編號SCTH100N65G2-7AG复制
製造商標準前置時間19 週
訂購代碼
複捲式3387270RL
條帶式包裝3387270
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$1,046.170 | NT$1,046.17 |
| 總計 價格 | NT$1,046.17 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$1,046.170 |
| 5+ | NT$906.030 |
| 10+ | NT$765.880 |
| 50+ | NT$730.970 |
| 100+ | NT$696.060 |
| 250+ | NT$661.140 |
品項附註
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產品訊息
製造商產品編號SCTH100N65G2-7AG复制
製造商標準前置時間19 週
訂購代碼
複捲式3387270RL
條帶式包裝3387270
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id95A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation360W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
95A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
360W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00145