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SCTW35N65G2VAG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$381.270 |
| 5+ | NT$356.760 |
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| 50+ | NT$313.030 |
| 100+ | NT$293.820 |
| 250+ | NT$287.950 |
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產品訊息
製造商產品編號SCTW35N65G2VAG复制
製造商標準前置時間19 週
訂購代碼3387275
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation240W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
45A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
240W
Product Range
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0045