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SCTWA40N120G2V-4
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 45 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247LL
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$582.050 |
| 5+ | NT$495.320 |
| 10+ | NT$421.790 |
| 50+ | NT$399.150 |
| 100+ | NT$375.270 |
| 250+ | NT$363.070 |
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產品訊息
製造商產品編號SCTWA40N120G2V-4复制
製造商標準前置時間19 週
訂購代碼3680099
Product RangeTrenchFET Gen II
技術資料表
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleHiP247LL
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max200°C
Product RangeTrenchFET Gen II
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
45A
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HiP247LL
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
TrenchFET Gen II
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00443