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SCTWA90N65G2V
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247LL
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|---|---|
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| 5+ | NT$774.290 |
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| 50+ | NT$677.760 |
| 100+ | NT$651.140 |
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產品訊息
製造商產品編號SCTWA90N65G2V复制
製造商標準前置時間19 週
訂購代碼3680104
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id119A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleHiP247LL
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation565W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
119A
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HiP247LL
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
565W
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.412678