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SGT080R70ILB
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Surface Mount
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製造商產品編號SGT080R70ILB复制
製造商標準前置時間33 週
訂購代碼
複捲式4785163RL
條帶式包裝4785163
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$234.620 | NT$234.62 |
| 總計 價格 | NT$234.62 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$234.620 |
| 10+ | NT$124.720 |
| 100+ | NT$114.110 |
| 500+ | NT$106.910 |
| 1000+ | NT$104.780 |
品項附註
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產品訊息
製造商產品編號SGT080R70ILB复制
製造商標準前置時間33 週
訂購代碼
複捲式4785163RL
條帶式包裝4785163
技術資料表
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Typical Gate Charge6.2nC
Transistor Case StylePowerFLAT HV
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Case Style
PowerFLAT HV
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
29A
Typical Gate Charge
6.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001