列印頁面
SH32N65DM6AG
Dual MOSFET, AQG 324, Dual N Channel, 650 V, 32 A, 0.097 ohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
137 有存貨
需要更多？
137 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$580.310 | NT$580.31 |
| 總計 價格 | NT$580.31 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$580.310 |
| 5+ | NT$560.040 |
| 10+ | NT$539.770 |
| 50+ | NT$519.500 |
| 100+ | NT$499.230 |
| 250+ | NT$478.960 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商產品編號SH32N65DM6AG复制
訂購代碼
複捲式4217873RL
條帶式包裝4217873
技術資料表
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel650V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel32A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.097ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleACEPACK SMIT
No. of Pins9Pins
Power Dissipation N Channel208W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
9Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
650V
Continuous Drain Current Id N Channel
32A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.097ohm
Transistor Case Style
ACEPACK SMIT
Power Dissipation N Channel
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000082