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SH63N65DM6AG
Dual MOSFET, AQG 324, Dual N Channel, 650 V, 53 A, 0.064 ohm
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製造商產品編號SH63N65DM6AG复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼
複捲式4246931RL
條帶式包裝4246931
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$755.560 | NT$755.56 |
| 總計 價格 | NT$755.56 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$755.560 |
| 5+ | NT$729.720 |
| 10+ | NT$703.880 |
| 50+ | NT$678.040 |
| 100+ | NT$652.200 |
| 250+ | NT$626.350 |
品項附註
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產品訊息
製造商產品編號SH63N65DM6AG复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼
複捲式4246931RL
條帶式包裝4246931
技術資料表
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel650V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel53A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.064ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleACEPACK SMIT
No. of Pins9Pins
Power Dissipation N Channel424W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
9Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
650V
Continuous Drain Current Id N Channel
53A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.064ohm
Transistor Case Style
ACEPACK SMIT
Power Dissipation N Channel
424W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：8.2