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STB24N60M2
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-262, Surface Mount
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產品訊息
製造商產品編號STB24N60M2复制
製造商標準前置時間19 週
訂購代碼2849649
Product RangeMDmesh II Plus
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.168ohm
Transistor Case StyleTO-262
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh II Plus
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Transistor Case Style
TO-262
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.168ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh II Plus
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.002