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STB36NM60ND
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
不再生產
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產品訊息
製造商產品編號STB36NM60ND复制
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複捲式3132713RL
條帶式包裝3132713
Product RangeFDmesh II
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.097ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeFDmesh II
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
STB36NM60ND 的替代選擇
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.097ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
FDmesh II
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00035