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STMICROELECTRONICS STD2HNK60Z-1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Through Hole
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The STD2HNK60Z-1 is an N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using STMicroelectronics SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
- Gate charge minimized
- 100% avalanche tested
- Extremely high dv/dt capability
- ESD improved capability
- New high voltage benchmark
應用
Industrial
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技術文件 (2)
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|---|---|---|
| 1+ | NT$29.92 | |
| 10+ | NT$26.59 | |
| 100+ | NT$21.81 | |
| 500+ | NT$19.37 | |
| 1000+ | NT$17.65 | |
| 3000+ | NT$17.55 | |
| 數量 | 價格 | 您的價格 |
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