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STD35P6LLF6
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$67.430 |
| 10+ | NT$37.500 |
| 100+ | NT$27.200 |
| 500+ | NT$22.700 |
| 1000+ | NT$22.590 |
| 5000+ | NT$22.480 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
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產品訊息
製造商產品編號STD35P6LLF6
訂購代碼2807190
Product RangeSTripFET F6
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation70W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F6
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure.
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
70W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F6
MSL
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000907