列印頁面
STGB20NB41LZT4
IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商產品編號STGB20NB41LZT4复制
製造商標準前置時間17 週
訂購代碼
複捲式2353662RL
條帶式包裝2353662
您的零件号
675 有存貨
需要更多？
675 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$135.490 | NT$135.49 |
| 總計 價格 | NT$135.49 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$135.490 |
| 10+ | NT$82.820 |
| 100+ | NT$62.610 |
| 500+ | NT$52.680 |
| 1000+ | NT$49.800 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商產品編號STGB20NB41LZT4复制
製造商標準前置時間17 週
訂購代碼
複捲式2353662RL
條帶式包裝2353662
技術資料表
Continuous Collector Current40A
Collector Emitter Saturation Voltage1.3V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max412V
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The STGB20NB41LZT4 is an internally clamped PowerMESH™ IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The built-in collector-gate Zener exhibits a very precise active clamping while the gate-emitter Zener supplies an ESD protection.
- Polysilicon gate voltage driven
- Low threshold voltage
- Low on-voltage drop
- Low gate charge
- High current capability
- High voltage clamping
應用
Automotive, Power Management
技術規格
Continuous Collector Current
40A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.3V
Collector Emitter Voltage Max
412V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
相關產品
找到 2 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0001