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STGD18N40LZT4

IGBT Single Transistor, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins

STMICROELECTRONICS STGD18N40LZT4

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製造商產品編號:
STGD18N40LZT4
訂購代碼:
2344078
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The STGD18N40LZT4 is an internally clamped IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diode between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low ON-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition system. It is suitable for pencil coil electronic ignition drive.
  • ESD gate-emitter protection
  • Gate-collector high voltage clamping
  • Logic level gate drive
  • Low saturation voltage
  • High pulsed current capability
  • Gate and gate-emitter resistor
  • 180mJ Avalanche energy @ TC = 150°C, L = 3mH

應用

Automotive, Power Management

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:
25A

:
1.35V

:
125W

:
390V

:
TO-252 (DPAK)

:
3Pins

:
175°C

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